机译:使用SF_6 / O_2等离子清洁技术减少蚀刻缺陷并优化光刻胶掩膜栅多晶硅蚀刻工艺中的蚀刻配方
机译:硅蚀刻工艺中SF6 / O2等离子体的电子密度和光发射测量
机译:在基于HBr / O2的高密度等离子体的多晶硅/氧化物蚀刻中,HBr和氧对蚀刻选择性和蚀刻后轮廓的作用的研究
机译:Lam 4400等离子蚀刻机中的微污染控制:在SF6 / He硅沟槽蚀刻过程中,颗粒缺陷密度降低了15倍
机译:等离子体密度控制,用于重新激活工业微电子中的离子刻蚀变化。
机译:莱茵衣藻的细胞氧化还原蛋白控制银纳米颗粒的生物合成
机译:在SF6-O2等离子体中形成黑色硅的形成:按需清晰,氧化,去除和蚀刻(核心)序列和黑色硅
机译:sF6等离子体中反应离子刻蚀pZT薄膜的表面分析。