SiドープGaAsNにおける電子濃度のアニール温度依存性

摘要

GaAS_((1-x))N_x (0 ≤ x ≤ 0.03)は窒素組成([N])の増加にともなってバンドギヤップエネルギーが大きく減少す る特性をもつため，GaAs基板上での多接合型太陽電池の1.0 eV帯材料への応用が期待される。このようなデバイス の実現に向けては，pn接合を構成するSiドープn型GaAsN(Si-GaAsN)の基礎物性の解明が不可欠である。現在まで に，Si-GaAsNにおけるSi原子の活性化機構がSi不純物濃度([Si])と[N]の両者に依存することを我々は明らかにした .今回は，Si-GaAsNをアニールすることにより，Si原子の活性化機構についてさらなる考察を行ったので報告する。