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AlGaN系多重量子井戸構造における 励起子の輻射・非輻射再結合レートの励起強度依存性

机译:基于Alga基多聚合物结构中激子辐射和非放射重组率的激发强度依赖性。

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摘要

これまでに我々は,AlGaN系多重量子井戸構造において励起子の輻射・非輻射再結合過程に基づくレート方程式モデルによって内部量子効率の励起パワー密度依存性を解析し,その結果と輻射・非輻射再結合寿命の温度依存性を解析した結果が定量的に一致することを示した。今回, AlGaN系多重量子井戸構造において,励起エネルギー密度を変化させた場合の輻射・非輻射再結合寿命の温度依存性を解析した結果と、励起子レート方程式モデルによって内部量子効率の励起パワー密度依存性を解析した結果を比較し、励起子レート方程式モデルの妥当性を検討したので報告する。
机译:到目前为止,我们通过基于Algan的多量子阱结构中激子的辐射和非辐射重组过程来分析内部量子效率的激励功率密度依赖性,从而在基于AlGaN的多量子阱结构中的辐射和非辐射重组过程,导致结果和辐射和非放射性显示了分析键寿命的温度依赖性定量匹配的结果。此时,在基于algan的多量子阱结构中,当激发能量密度改变时分析辐射和非辐射重组寿命的温度依赖性的结果,并且激发器的内部量子效率的激励功率密度依赖性速率方程模型,我们检查了分析性别的结果,并检查了激子率方程模型模型的有效性。

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