Rib-Si太陽電池のデバイス動作解析

摘要

Si太陽電池の開放電圧Vocの向上には、ウェハの薄型化が必要であるが、80m以下の厚さでは、製造工程での割れの問題が発生する。そこで、ウェハの機械的強度を保ちつつ薄型化を図るためRib太陽電池の開発を進めている。今回はVocのウェハ厚依存性を理論、実験両面から比較検討しp/i界面に存在する界面欠陥密度を考察した。