机译:在130 nm CMOS中制造的21 GHz 8模数预分频器和20 GHz锁相环
机译:采用0.25μmSiGe BICMOS技术的具有有源巴伦的20GHz低噪声放大器
机译:70.4 dB的电压增益,2.3 dB的NF,完全集成的多标准UHF接收器前端(CMOS)130 nm
机译:在玻璃载体上使用BalUns 20-GHz 130-NM CMOS前端
机译:研究了用于多标准低中频无线接收器的两级CMOS宽带放大器的新配置和新的CMOS宽带RF前端。
机译:用于高速ATLAS Muon漂移管检测器的28 nm批量CMOS模拟前端
机译:使用玻璃载体上的平衡 - 不平衡转换器的20-GHz 130-nm CmOs前端