スーパージャンクションMOSFETにおけるスイッチングロスのチャージインバランス依存抑制

摘要

我々は、SJ-MOSFETにおけるスイッチング損失のCIB感度を調べた。CIBは、ゲート近傍ポテンシャルを変化させ、高ポテンシャル時はスイッチング遅延を招く。CIB感度は、MOSゲート構造及びレイアウトによって抑制させることができる。2つの代表的な構造を作製し、スイッチング損失のCIB感度を実験的に検証した。