NO 窒化後ã®CO_2 熱処ç†ã«ã‚ˆã‚‹SiC MOSFET ã®é–¾å€¤é›»åœ§å®‰å®šæ€§å‘上

摘要

熱酸化SiO_2/SiC 界面特性改善のためにNO 熱処理による界面窒化が広く行われているが、電界効果移動度は向上する反面、正孔注入耐性の低下が指摘されている。我々は、NO 窒化初期にはSiO_2/SiC 界面のSiC 側に優先的にN 原子が導入され、窒化の進行とともにとSiO_2 側にもN 原子が分布することを報告している。SiN 膜が電荷トラップを多く含むことを考えると、SiO_2 側に分布するN 原子を選択的に除去できれば電荷注入耐性が向上すると期待されるが、酸素雰囲気中での熱処理だと一般的な熱酸化と同じであるため、SiO_2/SiC 界面のN 量が減少することによる移動度低下が懸念される。前回我々は、1400°C 以下の温度でのCO_2 熱処理がSiO_2 増膜を起こすことなく、SiC MOS デバイスのヒステリシス低減、界面特性向上に有効であることを報告した。そこで本研究では、NO窒化後のCO_2 雰囲気中熱処理について検討した。