永久レジストによりviaを保護したMEMS移相器をもつ準ミリ波帯シリコンハイブリッドフェイズドアレイアンテナの開発

摘要

今日、IoT無線通信やRF電力送信の分野で使われるRF信号がミリ波の領域に達するようになり、無線ビームを電気的に走査することができるフェイズドアレイアンテナ(PAA)に大きな注目が集まるようになった。PAA は、ビーム走査に機械的な構造を持たないために高速動作が可能であるが、高周波駆動回路が複雑であることから装置が大型で高価になるという課題があった。我々は、低損失MEMSスイッチを利用してこの高周波移相器回路の簡略化を図ることによって課題を解決しようとした。しかし、先行研究において、移相器表面パターンと裏面グランド板を導通するviaがMEMSスイッチプロセスの途中に溶け出して移相器の高周波特性が劣化するという問題が発生することがわかった(1,2)。今回、viaを永久レジストを用いて保護することによりこの問題を解決することに成功した。ここでは、作製したMEMS移相器をアレイアンテナにハイブリッド接続したPAAについて報告する。