極低濃度KOH水溶液を用いたシリコン異方性ウエットエッチング特性とこれを利用したSiO2薄膜自立構造体の製作

摘要

1 wt% KOH水溶液でのエッチング特性把握の一環として，エッチングマスクパターンサイズの影響を調査すると共に，実際に薄膜自立構造体の製作を試みた．その結果，高濃度（30 wt%）KOH水溶液ではエッチング速度のマスクパターンサイズ依存性はなかったが， 1 wt%KOH 水溶液では、サイズが小さいほどエッチング速度が低下した．1wt% KOH水溶液ではエッチング底面にマイクロピラミッドが高密度に発生したが，SiO_2膜の片持ち梁自立構造体が底面に付着せずに作製できた．