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【24h】

SiC MOSFETを用いたスイッチトリラクタンスモータ駆動回路の損失に関する一検討:同期整流による導通損失低減

机译:使用SiC MOSFET损耗开关三径电动机驱动电路的研究:由于同步整流,电导率下降

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摘要

本研究では、SRモータの駆動回路にSiC-MOSFETを適用したHブリッジ回路を採用し、同期整流による導通損失の低減について実験的に評価した。実験結果より、同期整流によって、小電流領域において導通損失を低減できることを示した。さらに駆動回路内デバイスの損失がほぼ一定となるため、局所的な温度上昇を防げる。 以上の結果からSRモータの駆動回路を非対称ブリッジ回路からHブリッジインバータに置き換えることの有用性を示せた。
机译:在该研究中,采用了将SiC-MOSFET施加到SR电动机的驱动电路的H桥电路,并通过同步整流引起的导通损耗的降低。从实验结果中,同步整流表明,在小电流区域中可以降低导电损耗。此外,由于驱动电路中的器件损耗几乎恒定,因此可以防止局部温度升高。根据上述结果,从不对称桥电路显示SR电机的驱动电路,以取代H桥式逆变器的有用性。

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