Power amplifiers; Transistors; Impedance; Current measurement; Silicon germanium; BiCMOS integrated circuits; Clamps;
机译:D波段SiGe BICMOS功率放大器,具有16.8dBmp₁db和17.1%pae,通过多个公共阶段的电流钳制增强
机译:在130 nm SiGe-BiCMOS中具有20 dBm输出功率和PAE高于15%的宽带,双通道,毫米波功率放大器
机译:具有高PAE的可重构K波段/ Ka波段功率放大器,采用0.18- <公式Formulatype =“ inline”> src =“ / images / tex / 241.gif” alt =“ mu”> formula> m SiGe用于多频带应用的BiCMOS
机译:2.6 SiGe BICMOS E场功率功率放大器,22%PAE在18dBm OP1DB,8.5%在共同底座中的6dB回路时为8.5%,在公共底座中夹紧电流夹紧