直流バイアス電流印加時の薄膜MI素子の挙動とその解析

摘要

薄膜素子に直接直流バイアス電流を印加した結果，インピーダンスの外部磁界依存性において,Z軸に関して非対称性が確認された.これらの結果について，バイアス磁化率 の理論，マクスウェルの方程式に基づき，直流電流による バイアス磁界や素子断面形状の影響を考慮することにより， 定性的にインピーダンスの非対称性を説明することが可能 となった.また，実験的に直流バイアス磁界を印加した場合，数mAのバイアス電流でセンサ感度が増加する傾向を示した.