将来の超高速記録デバイスの実現を目指して,磁性細線中の磁壁を電流により駆動し記録再生する技術の研究をすすめている.磁壁電流駆動を利用したメモリーには,我々が進めている磁性細線を利用した映像用高速シーケンシャルメモリーの他に,磁壁移動型MRAM(Magnetic Random Access Memory)も提案されている.どちらのデバイスにおいても,磁壁駆動の高速化は重要な課題である.駆動の高速化は磁性細線へ注入する電子数を增加することで実現できるが,発熱ゃ消费電力などの問題により記録デバイスとして望ましくない.そこで今回,電流増加の代わりに,磁性細線の磁壁近傍にアシスト磁界を付与することにより高速化を実現できないかシミュレーションで検討した.その結果,磁性細線の膜面に対し,面内方向のみの成分をもつアシスト静磁界を磁壁近傍に印加することにより,従来のパルス電流のみ印加した場合に比べて約2倍高速に磁壁駆動できることがわかったので報告する.
展开▼