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招待講演金属絶縁体転移素子を用いたキヤパシタレスのニューロン回路

机译:特邀演讲使用金属绝缘子过渡元件的电容器神经元电路

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摘要

酸化バナジウムが示す金属絶縁体転移を利用して、キャパシタレスのニューロン回路を作製した。キ ャパシタが電荷を積算するのとは異なり、酸化バナジウムは内部にジュール熱を蓄積し、それによって金属絶縁体 転移を引き起こす。この酸化バナジウムの熱蓄積の効果を用いることで、入力パルス電圧を時間平均し、それによ ってニユーロン回路を作製した。キャパシタによって回路の微細化がしばしば律速されることを考えれば、キャパ シタの代わりに金属絶縁体素子を用いる本研究によって、ニューロン回路の微細化が促進されると期待できる。
机译:利用氧化钒表现出的金属-绝缘体转变构造了无电容器神经元电路。与能电荷累积的电容不同,氧化钒会在内部积聚焦耳热,从而引起金属-绝缘体转变。通过利用钒氧化物的这种热量积聚的效果,对输入脉冲电压进行时间平均,并相应地构造了ni-Euron电路。考虑到电路的小型化通常由电容器决定,因此可以预期,这项使用金属绝缘体元件代替电容器的研究将促进神经元电路的微型化。

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