Aluminum nitride; Annealing; Films; III-V semiconductor materials; Sputtering; Temperature; Temperature measurement;
机译:退火温度对溅射氮化铝薄膜力学和电学性能的影响
机译:退火温度对旋涂GO-TiO_2薄膜结构,形貌和光学性能的影响
机译:低温退火对用于光伏应用的RF溅射生长的ZnO薄膜的结构,光学,电学和形态学特性的影响
机译:退火温度对氮化铝薄膜压电和形态学性能的影响
机译:在高温“智能”摩擦应用中,在封闭场不平衡磁控溅射中反应性沉积的氮化铝压电薄膜。
机译:基材工艺条件和生长ZnO薄膜性能的底蛋白温度通过连续的离子层吸附和反应方法
机译:高温退火研究薄氮化铝薄膜的压电性能
机译:高温退火研究薄氮化铝薄膜的压电性能