Junctionless Tri-Gate Transistor (JLTGT); Numerical Simulation; Radio Frequency (RF); stability factor;
机译:活化退火温度对高k /金属栅叠层p型金属氧化物半导体场效应晶体管的性能,负偏置温度不稳定性和介电击穿寿命的影响
机译:高k栅极电介质对无结晶体管的器件和电路性能的影响
机译:高k栅极电介质对无结晶体管的器件和电路性能的影响
机译:偏置,掺杂和高K电介质对无结三栅晶体管RF稳定性能的影响
机译:迈向高性能二维晶体管:掺杂,接触和栅极电介质
机译:通过后退火实现具有高k Al2O3栅极电介质的溶胶-凝胶IGZO晶体管的电气性能的改善
机译:具有高k电介质的N型结纳米线晶体管电气特性对装置参数变化的影响
机译:高K场效应晶体管偏置温度不稳定性测量中的异常漏电压依赖性