FinFETs; Geometry; IEEE Xplore; Logic gates; Monte Carlo methods; Semiconductor process modeling; Shape;
机译:在器件几何形状变化下对22 nm以下FinFET技术的电特性进行预测评估
机译:频率和γ辐射对ER2O3,GD2O3,YB2O3和HFO2基于HFO2器件的电气特性的影响
机译:三角缺陷对4H-SiC器件电学特性的影响
机译:装置几何形状对10.7 nm Soi-FinFET电气特性的影响
机译:液晶校准机制及其对显示设备特性的影响
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:纳米级FD-SOI器件中的加热效应引起的声子分散及其对电特性劣化的影响