MOSFET; compact model; die-to-die; fabrication variation; microscopic parameters; within-die;
机译:面向设计的软错误率变化模型,同时考虑了亚微米CMOS SRAM单元中的芯片间和芯片内变化
机译:在升高的温度下采用65nm体CMOS技术在nMOS和pMOS晶体管中进行单事件瞬态测量
机译:前馈运行控制以减少CMOS逻辑中的参数晶体管偏差0.13 $ mu {rm m} $技术
机译:65nm CMOS技术PMOS晶体管的芯片到芯片和芯片内制造变化
机译:采用65nm CMOS技术的宽带毫米波LNA,具有最小的增益和噪声变化
机译:采用22 nm节点CMOS技术的SiH4和B2H6前体的ALD W填充金属功能的pMOSFET
机译:65nm CMOS技术PMOS晶体管的芯片到芯片和芯片内制造变化