MOSFET; laser materials processing; self-limiting laser thermal process; ultra-shallow junction formation; CMOS devices; SL-LTP; laser exposure window; MOSFET; laser fluence induced drain current increase; 50 nm;
机译:纳米技术CMOS应用等离子掺杂和准分子激光退火的超浅结形成
机译:单层掺杂工艺在单晶Si和GE中为未来CMOS器件的超浅接线形成
机译:超浅结的准分子激光热处理:激光脉冲持续时间
机译:用于50-NM栅极CMOS的超浅接线形成的自限激的激光热处理
机译:锗硅化物通过选择性沉积原位掺杂的硅锗合金与纳米级CMOS集成电路的超浅p(+)n结接触。
机译:使用具有片上信号处理功能的CMOS成像传感器进行激光多普勒血流成像
机译:使用激光热处理为ULSI技术制造超浅结和高级栅极堆叠
机译:激光加工多层基板上的垂直单栅CmOs反相器