Films; Silicon; Germanium; Insulators; Substrates; Energy barrier; Raman scattering;
机译:厚度依赖的低温固相结晶法在绝缘体上掺Sn的多晶Ge膜中的高载流子迁移
机译:缩回:“具有高载流子迁移率(〜550cm〜2 / V s)的绝缘体上掺Sn的多晶Ge膜的晶核控制低温固相结晶”。物理来吧112,242103(2018)]
机译:高载流子迁移率(〜550cm〜2 / V s)的绝缘子上掺锡多晶Ge薄膜的成核控制低温固相结晶
机译:通过固相结晶与界面调制结合改善薄GE膜对绝缘体的载体迁移率
机译:通过表征和先进的数值模拟,改善玻璃上的薄膜硅太阳能电池中前表面电荷载流子的收集。
机译:通过工程结晶和酸处理在oCVD PEDOT薄膜中具有高电导率和载流子迁移率
机译:绝缘体上非晶siGe薄膜的金属诱导固相结晶