首页> 外文会议>International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices >Design Strategy for Monolithically Integrated Photodetector and Improvement using Plasmonics
【24h】

Design Strategy for Monolithically Integrated Photodetector and Improvement using Plasmonics

机译:单片集成光电探测器的设计策略以及等离子技术的改进

获取原文

摘要

We report three optimized coupling geometries for a monolithically integrated In0.53Ga0.47As pin photodetector operating at 1350 nm wavelength. It is shown how plasmonics can further improve the performance.
机译:我们报告了单片集成In的三种优化耦合几何形状 0.53 0.47 作为pin光电探测器,工作于1350 nm波长。它显示了等离激元技术如何进一步提高性能。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号