Sensitivity; Capacitance; Mathematical model; MOSFET; Current measurement; Capacitors; Noise measurement;
机译:新型双电介质全能门(DDGAA)RADFET剂量计设计可提高辐射灵敏度
机译:具有集成零偏置浮栅传感器的可穿戴实时CMOS剂量计,以及861-NW 18位能量分辨率可扩展时间辐射到数字转换器
机译:使用La_2O_3界面清除层改善浮栅存储结构的Al_2O_3互电介质性能的技术
机译:浮栅MOS结构的研究改善辐射剂量计的噪声和敏感性
机译:通过浮栅结构和技术适应标准CMOS工艺。
机译:具有两个控制门的智能浮栅晶体管用于有源噪声控制
机译:使用浮栅和RadFET剂量计的总辐射剂量监测的耐辐射系统设计