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PLASMA TREATMENT NANOSTRUCTURING OF Cu(In,Ga)Se_2 FILMS GROWN BY SELENIZATION AND PULSED LASER DEPOSITION

机译:硒化和脉冲激光沉积生长的Cu(In,Ga)Se_2薄膜的等离子体处理纳米结构

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摘要

In this work we report a novel approach to the nanostructuring the surface of Cu(In,Ga)Se_2 thin films grown by selenization process and pulsed laser deposition. Our approach is based on using argon inductively coupled plasma sputtering technique with 200 eV ion energy. We performed morphology studies using scanning electron microscopy and atomic force microscopy, which allowed describing the formation of uniform nanostructures and their geometrical parameters in dependence on film growth method and treatment duration.
机译:在这项工作中,我们报告了一种新颖的方法,用于通过硒化工艺和脉冲激光沉积来纳米结构化Cu(In,Ga)Se_2薄膜的表面。我们的方法基于使用具有200 eV离子能量的氩气感应耦合等离子体溅射技术。我们使用扫描电子显微镜和原子力显微镜进行了形态学研究,从而可以描述均匀的纳米结构及其几何参数的形成,取决于薄膜的生长方法和处理时间。

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