Threshold voltage; MOSFET; Logic gates; Strain; Substrates; Performance evaluation;
机译:具有中心电荷的渐变沟道双材料双栅极应变Si MOSFET的基于中心电势的阈值电压模型
机译:全方位栅极MOSFET具有高阈值电压匹配性能
机译:HfSiON / SiO_2 n沟道MOSFET正偏压温度不稳定性期间阈值电压漂移的饱和及其对器件寿命评估的影响
机译:器件参数对双重材料紧张栅极围绕MOSFET阈值电压的性能评估及影响
机译:硅锗/硅垂直MOSFET和侧壁应变硅器件:设计和制造。
机译:HfO2 / Al2O3超晶格在透明ITO /玻璃基板上阈值开关装置的阈值电压调节研究
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响