II-VI semiconductor materials; Cadmium compounds; Photonic band gap; Chlorine; Discrete Fourier transforms; Zinc oxide; Tellurium;
机译:CDS / CDTE杂结太阳能电池CDS_(1-X)TE_X接口化合物的研究通过密度函数理论(DFT)
机译:透明导电氧化物电子结构的新视角-以氧化锌镁与碲化镉之间的界面为例
机译:碲化镉薄膜热退火在优化CDTE / Si太阳能电池性能下的枢转作用
机译:使用密度泛函理论(DFT)分析CdTe薄膜太阳能电池中前Mg
机译:碲化镉和碲化镉锌的薄膜和太阳能电池。
机译:模拟掩埋条件下碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池板中镉和碲的浸出
机译:电沉积碲化镉薄膜的生长和微观结构对n-CdS / p-CdTe薄膜太阳能电池性能的影响
机译:薄膜碲化镉,碲化锌和碲化锌汞太阳能电池。最终分包合同报告,1988年7月1日 - 1991年12月31日