Radiation effects; SRAM; neutron; proton; single event upset;
机译:在15meV质子下的婴儿床65-nm sram和低VDD的14个MeV中子评估
机译:3 MeV,14 MeV和裂变中子对功率MOSFET和SRAM的单事件影响
机译:扩展质子SEU截面模型以包括14个MeV中子
机译:中子和质子SEU横截面的扫描液在几个MEV和50 MeV之间
机译:从50到300 MEV的SULFUR-32(γ,中子-质子)磷30截面的性质。
机译:CVD金刚石至70meV质子快节中子和200meV接头的辐射耐受性研究
机译:铜和金中的缺陷结构,用快上的中子,14个MEV中子和600-800 meV质子照射
机译:14 meV中子能区中exp 50 Ti(N,p)exp 50 sc反应的截面测定