flip-flops; integrated memory circuits; memory architecture; layout-based interleaving; memory latches; multiple-bit upset tolerant static memories; multiple-node disruption tolerant; spatial separation;
机译:通过按设计和布局进行辐射加固的新型双节点容错存储单元设计
机译:重离子辐照下静态随机存取存储器中多位翻转反应的角度依赖性
机译:用于加固具有多个节点翻转的单个事件的纳米CMOS存储单元的设计
机译:通过设计技术实现多有点不高兴容错静态存储器硬化
机译:静态随机存取存储器中多个细胞不适的模式识别:实验测试结果与单事件不适机制的相关性。
机译:回复Hora:元分析技术旨在适应实施中的变化
机译:通过设计技术实现多有点不高兴容错静态存储器硬化
机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)