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'Extreme edge engineering' - 2 mm edge exclusion challenges and cost-effective solutions for yield enhancement in high volume manufacturing for 200 and 300 mm wafer fabs

机译：“极限边缘工程”-2毫米边缘排除挑战和经济高效的解决方案，可提高200和300毫米晶圆厂的批量生产的良率

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Significant financial benefits are realized by reducing the wafer edge exclusion to gain additional productive chips as well as enhance the yield of the former edge-most region of the wafer. Challenges are discussed and cost-effective solutions provided for major unit process and integration issues such as plasma-etch induced blocked/distorted pattern, image displacement, interlayer misalignment, lithography edge coating and patterning, pattern-density-dependent CMP and Etch non-uniformity, scribe readability, and shared-driver shorts.

机译：通过减少晶片边缘的排他性来获得更多的生产性芯片，并提高晶片先前最边缘的区域的成品率，可以实现显着的经济效益。讨论了挑战并为主要的单元工艺和集成问题提供了具有成本效益的解决方案，例如等离子蚀刻引起的阻挡/变形图案，图像位移，层间未对准，光刻边缘涂布和图案化，图案密度依赖的CMP和蚀刻不均匀性，划线可读性和共享驱动程序短裤。

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来源
《》|2004年|p.453-460|共8页
会议地点
作者
Tran; T.; Roberts; W.; Tiffany; J.; Jekauc; I.; Clements; N.; Jowett; P.; Ferguson; R.; Mattson; D.; Demmert; C.; Richmond; M.; Wiendl; C.; Bruno; M.; Brock; A.; Taylor; T.;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
integrated circuit yield; wafer bonding; etching; lithography; chemical mechanical polishing; extreme edge engineering; yield enhancement; wafer fabs; wafer edge exclusion; former edge most region; cost effective solutions; plasma etch induced blocked pattern; plasma etch induced distorted pattern; image displacement; interlayer misalignment; lithography edge coating; lithography edge patterning; etch nonuniformity; scribe readability; shared driver shorts; pattern density dependent CMP; chemical mechanical polishing;

机译：集成电路良率;晶圆键合;蚀刻;光刻;化学机械抛光;极端边缘工程;良率提高;晶圆厂;晶圆边缘排除;前边缘大部分区域;经济有效的解决方案;等离子蚀刻引起的阻挡图案;等离子蚀刻引起的扭曲图案;图像位移;层间未对准;光刻边缘涂层;光刻边缘图案;蚀刻不均匀;划痕可读性;共享驱动器短路;取决于图案密度的CMP;化学机械抛光;

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