画素内埋め込み保持部と横型オーバーフロー蓄積容量を用いた224ke-飽和電荷数を有する3.875um□グローバルシャッタCMOS イメージセンサ

摘要

画素内に電荷保持部を持つことでグローバルシャッタを備えたCMOS イメージセンサ(CIS)は、高いrn飽和電荷数を達成することが課題となっている。本稿では、画素内埋め込み保持部(PST)と横型オーバーフロー蓄積rn容量(LOFIC)を備えることで、画素ピッチ3.875μm□で飽和電荷数を224ke−に拡大した単一露光グローバルシャッタrnCIS を報告する。本CIS は単位面積当たりの飽和電荷数として14.9ke−/μm2 を実現している。この画素は、PST によrnり暗部および低照度条件下で画質を劣化させることなく、LOFIC を使用して蓄積することで大きな飽和電荷数を達rn成している。