STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet 38926 Crolles cedex, France;
机译:使用冷冻的CO_2抗蚀剂进行大面积,薄膜有机半导体的干法光刻
机译:开发用于193 nm干法和浸没式光刻的新型抗蚀剂材料
机译:极端紫外光刻在半导体制造抗蚀剂工艺中分辨率,线边缘粗糙度和灵敏度之间的权衡关系的理论研究
机译:所有干式CVD基抗蚀剂用于高级光刻工艺
机译:先进光刻胶工艺中反应动力学的建模和仿真。
机译:使用冻结的CO2抗蚀剂进行大面积薄膜有机半导体的干法光刻
机译:三态光刻模型:增强的数学方法来预测灰度光刻过程中的抗蚀剂特性
机译:193-Nm光刻的全干抗蚀剂工艺