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Impact of Latest Power Devices for Photovoltaic Inverters

机译:最新功率设备对光伏逆变器的影响

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摘要

Excellent electrical properties and the impact of latest power devices for improving the efficiency of PV inverters are presented.Power modules using SiC-MOSFET and -SBD exhibit the possibility to realize PV inverters with peak efficiency beyond 99.0%.Silicon IGBT modules using RB-IGBT have enabled to mass-produce PV inverters with peak efficiency of 98.4%.Silicon SJ-MOSFET and discrete IGBT have enabled to improve the efficiency of small power PV inverters by 0.5 point.
机译:展示了优异的电气性能以及最新功率器件对提高PV逆变器效率的影响。使用SiC-MOSFET和-SBD的功率模块展示了实现峰值效率超过99.0%的PV逆变器的可能性。使用RB-IGBT的硅IGBT模块能够批量生产峰值效率为98.4%的光伏逆变器。硅SJ-MOSFET和分立IGBT使得小功率光伏逆变器的效率提高了0.5点。

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