Department of Mechanical Engineering, Yokohama National University, Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan;
atom migration; grain boundary network; stress-induced migration; electromigration; cavity growth; polycrystalline lsi conductor;
机译:晶界/界面网络对多晶LSI导体中应力和电流诱导的原子迁移所引起的空穴生长的影响
机译:晶粒边界/界面网络对LSI导体应力引起的原子迁移造成的断裂的影响
机译:电流和应力引起的原子迁移导致多晶LSI导体损坏过程
机译:多晶LSI导体应力和电流诱导原子迁移引起的晶界/接口网络对腔生长的影响
机译:多晶铜铟硒(2)太阳能电池有无晶界重组的电流传输。
机译:晶界对YBCO涂层导体中电流输运性能的影响
机译:晶界/接口网络对LSI导体应力诱导原子迁移引起的裂缝的影响。