National Chung Hsin University, Taichung, Taiwan, R.O.C;
Chung Cheng Institute of Technology, National Defense University, Taoyuan, Taiwan, R.O.C;
University of Washington, Seattle, Washington, USA;
lead zirconate titanate oxide; PZT; Sol-Gel process;
机译:工艺参数对通过Sol-gel衍生法在不锈钢上实现的铁电和反铁电PZT薄膜的结构和电性能的影响
机译:热处理对溶胶-凝胶法制备PZT薄膜LaNiO {sub} 3薄膜电极的影响
机译:溶胶 - 凝胶衍生PZT薄膜的取向转换,电介质和铁电行为沉积在Ti-Pt合金层上:依赖于Ti含含量的研究
机译:制造溶胶 - 凝胶衍生PZT薄膜的临界参数
机译:可印刷薄膜溶胶 - 凝胶锆钛酸钛酸酯(PZT)沉积使用纳米喷射和喷墨印刷方法
机译:溶胶-凝胶法制备的PZT / BFO多层薄膜的铁电性能
机译:不同化学途径衍生溶胶 - 凝胶PZT薄膜的纳米结构分析
机译:用于去耦电容器应用的溶胶 - 凝胶法制备pZT薄膜的制备和性能