International Sematech, 2706 Montopolis Drive, Austin Texas 78741;
机译:Hf_xTa_yN金属栅电极与HfO_xN_y栅极电介质的兼容性,可用于先进的CMOS技术
机译:低于1/4 / splμm/ m的双栅极CMOS技术,使用用于nMOS和pMOS栅极的原位掺杂多晶硅
机译:基于HFO_2的栅极堆栈的正偏置温度不稳定性,减少了CMOS技术的热预算
机译:多晶硅与基于HFO_2的栅极电介质的兼容性CMOS应用
机译:用于硅CMOS应用的高k栅极电介质。
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:用于CMOS应用的具有多晶硅栅电极的MOCVD HfO2介电层的电性能