机译:MeV离子束辐照增强离子注入4H-SiC损伤的退火
机译:H + sup> MeV能量离子注入n-Si晶片中电子传输性质的深度剖面重构,采用光载流子辐射
机译:使用光载流子辐射技术在H〜+ MeV能量注入的n-Si晶片中电子传输特性的深度剖面重建
机译:MEV离子植入p si中亚阈值损伤的表征
机译:MeV离子注入层在III-V化合物半导体中的表征和应用。
机译:IRF3可通过IL-6表达帮助控制急性TMEV感染但在TMEV感染后会导致急性海马损伤
机译:离子植入的Si-SiO2结构的MEV电子照射
机译:用X射线和拉曼技术表征meV离子注入GaInas / Gaas