STMicroelectronics-IMS / APMRue Pierre et Marie Curie-BP7155F-37071 Tours Cedex 2France;
STMicroelectronics-IMS / APM Rue Pierre et Marie Curie-BP7155 F-37071 Tours Cedex 2 France;
机译:考虑瞬态切换事件的功率因数校正电容最佳放置的可靠性影响
机译:上电极对非晶ZrTiO4膜金属-绝缘体-金属电容器电应力可靠性的影响
机译:浇筑到阴极电容器对TRIAC抗拉性免疫和可靠性的影响
机译:嵌入式平面电容器的可靠性和传导机制分析。
机译:基于技术-计算机辅助设计的DRAM存储电容器可靠性预测模型
机译:无功功率影响对LCL滤波器电容的寿命和DFIG网格连接逆变器的可靠性
机译:生产工程措施提高电容器,固定,固体电解质,钽高可靠性100 mfd-20伏电容器的可靠性