Berkeley Sensor Actuator Center;
497 Cory Hall #1770 Berkeley, CA USA 94720-1770;
deep reactive ion etch; DRIE; bosch process; conditioning recipe; seasoning recipe;
机译:开发用于最大掩模蚀刻的过程配方和具有垂直侧壁的最大蚀刻速率,用于深度,高度各向异性电感耦合等离子体(ICP)蚀刻熔融二氧化硅的蚀刻
机译:深度反应离子蚀刻参数对具有高纵横比极深硅蚀刻工艺蚀刻速率和表面形态的影响:
机译:使用SF_6 / O_2等离子清洁技术减少蚀刻缺陷并优化光刻胶掩膜栅多晶硅蚀刻工艺中的蚀刻配方
机译:深反应离子蚀刻调节配方
机译:在使用Langmuir探针和光发射光谱法的深反应离子刻蚀系统中,等离子体表征和刻蚀速率以及通孔侧壁角度相关。
机译:关于深蚀刻电子显微镜用于建立细胞结构/功能相关性的一些个人历史记录
机译:亚毫米级深反应离子蚀刻抗反射涂层 硅光学