Clariant Japan K.K., Business Unit Electronic Materials 3810 Chihama, Daito-cho, Ogasa-gun, Shizuoka, 437-1496, Japan;
193 nm resist; line collapse; rinse solution; FIRM process;
机译:通过利用FIRM工艺修改抗蚀剂聚合物和工艺条件来进行193 nm抗蚀剂塌陷研究
机译:193nm阻性聚合物的分子量对负色显影过程的影响
机译:193nm阻性聚合物的分子量对负色显影过程的影响
机译:单层193和157 nm抗蚀剂的塌陷行为:在冲洗中使用表面活性剂以实现低于130 nm的结点
机译:探索基于溶出抑制剂的非化学放大抗蚀剂,用于193 nm光刻。
机译:使用掺有羟丙基纤维素的旋涂聚合物抗蚀剂膜的常规微芯片表面改性方法
机译:193 NM抗蚀线折叠研究通过利用坚固的工艺来改变抗蚀剂聚合物和工艺条件
机译:抗蚀技术与加工XII的进展。亚0.25微米光刻的193纳米硅烷化工艺的优化