Semiconductor Materials Research Laboratory, Yoshida-Minami Factory, FUJI PHOTO FILM CO., LTD., 4000, Kawashiri, Yoshida-cho, Haibara-gun, Shizuoka, 421-0396, Japan;
chemically amplified resist; 193nm; photo acid generator; sulfonium salt; line edge roughness;
机译:193nm抗蚀剂的进展:开发工艺对含酐抗蚀剂材料的影响
机译:193nm抗蚀剂的进展:开发工艺对含酐抗蚀剂材料的影响
机译:193nm顶表面成像工艺的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能
机译:酰亚胺和甲基鎓PAG在193nm抗蚀剂配方中的性能
机译:Beta-Ga2O3:一种透明的导电氧化物,用于潜在的电阻开关应用
机译:完全透明和灵敏度可编程的无定形铟 - 氧化锌基氧化物薄膜晶体管的生物传感器平台具有电阻开关存储器
机译:193nm的进展抵抗:开发方法对含酐的抗蚀剂材料的影响。