CNET, France and M. Gonokami, University Tokyo, Japan;
机译:In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As多量子阱结构中重空穴限制态的量子限制斯塔克效应
机译:点量子结构中利用量子约束斯塔克效应动态切换空穴特性和单光子极化
机译:Ge / SiGe量子阱结构中的量子限制斯塔克效应测量
机译:InAsP / InP量子阱结构中的掺杂分布引起的量子约束斯塔克效应的证据及其离子轰击对其的修饰
机译:量子约束发射器的光谱增益测量以及子带间量子盒激光器结构的设计与制造
机译:尺寸受限的固定成分和依赖成分的工程带隙合金化在L-半胱氨酸封端的四元CdZnTeS量子点中诱导了不同的内部结构
机译:约束双组分电子系统的非弹性寿命 半导体量子线和量子阱结构
机译:具有光子控制腔的纳米量子限制结构