Tongji University, Functional Materials Research Laboratory, Shanghai 200092, China;
type-I Ge clathrate; single crystal; flux method; characterization;
机译:Sr,Ba填充I型Ge笼形单晶的制备与表征
机译:Sr,Ba填充Ⅰ型Ge包合物单晶的制备与表征
机译:第i型笼形化合物Ba_8ga_(16)ge_(30)和Sr_8 Ga_(16)ge_(30)的单晶的机械和热学性质
机译:SR的制备和表征SR,BA填充型I Ge Clathrate单晶
机译:脉冲双激光烧蚀沉积热电钡8镓16锗30型I笼形薄膜的生长和表征。
机译:I型包合物Ba8Ni〜3.8SixGe42.2-x的晶体化学和热电性质(x = 0102042.2)
机译:I型(NA / SR) - (GA / Si)第四纪族族的单晶生长和结构分析
机译:Znsip2和ZnGep2单晶的制备与表征