02;
ASME;
symbol: description unit; A; c: barrier width a; B; d: well width a; e: total energy ev; e_t: transverse energy;
机译:几何形状,施加的静水压力和磁场对浸没在Ga_(1-y)Al_yAs系统中的GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs药盒中电子-空穴跃迁能的影响
机译:Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅴ异质结构Ga_(1-x)Mn_xAs / ZnSe / Ga_(1-x)Mn_xAs磁性隧道结中隧道各向异性磁阻的起源
机译:GaAs / Ga_(1-x)Al_xAs超晶格中的电子:磁场中的自旋和轨道状态
机译:偏置GA_(1-x)AL_XAS-GAAS-GA_(1-X)AL_XAS三屏障半导体查询器的电子和孔的隧道隧穿的传动系数
机译:半导体中的微波和远红外磁光研究:镉(1-X)锰(X)碲和锌(1-X)锰(X)碲中的电子顺磁共振以及铅(.98)中的磁传输T(.02)碲。
机译:透射电子显微镜观察Al晶粒尺寸晶界沟槽与Al / AlOx / Al隧道结氧化物势垒厚度局部变化的相关性
机译:稀磁半导体的电子结构 $ Ga_ {1-x} mn_ {x} N $和$ Ga_ {1-x} Cr_ {x} N $