TMモードの磁気光学移相効果を用いた非相反TE-TMモード変換によるSi導波路型光アイソレータ

摘要

光集積回路の実現に向けて反射戻り光を除去する導波路型光アイソレータが必要である。これまで、SOI基板上のマッハツェンダ干渉計を用いた導波路型光アイソレータでは30 dB以上の高いアイソレーションや、20～60℃の範囲で20 dB 以上のアイソレーションで温度無依存動作を実現している[1,2]。これらのデバイスはTMモードに対してのみ動作するが、多くの光能動素子はTEモードで動作する。今回、TEモード入力で動作可能な光アイソレータとして、TMモードに発現する磁気光学効果に基づく非相反なTE-TMモード変換器を用いた光アイソレータの提案と初期的な実験を行ったので報告する。