ダイナミックオーロラPLD法を用いたTiNバッファ層上へのMn_3CuN薄膜作製

摘要

逆ぺロブスカイト構造を有するMn_3CuNは、150 K以下で2000 ppmに及ぶ巨大磁歪を発現することで注目されている。我々はこれまでに、独自に開発したダイナミックオーロラPLD法を用いてMn_3CuN薄膜の作製に成功している。しかし、酸化物などの形成も見られ、単相薄膜の作製には至っていない。酸化物形成の原因の一つとして基板中の酸素との反応が考えられる。そこで今回、反応抑制層としてTiNバッファ層を導入し、Mn_3CuN薄膜を作製したので報告する。