Microwave Solid-state Department Komukai Operation Toshiba Corp.1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, 212-8581, Japan;
Advanced Electron Devices Laboratory, Research and Development Center, Toshiba Corp. 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki,;
GaN; AlGaN; HEMT; defect; gate leakage current;
机译:AlGaN-GaN-HEMT表面缺陷电荷对肖特基栅漏电流和击穿电压的影响
机译:原位钝化与GaN缓冲优化相结合,可在Si(111)上的Si_3N_4 / AlGaN / GaN HEMT器件中实现极低的电流分散和极低的栅极泄漏
机译:TCAD仿真功能可用于高级AlGaN / GaN HEMT器件的栅极泄漏电流分析
机译:基底缺损影响AlGaN / GaN Hemts装置的栅极漏电流
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制