Semiconductor Materials Research Group, Electronic Materials Research Laboratories, Nissan Chemical Industries, LTD., 635 Sasakura, Fuchu-Machi, Toyama-shi, Toyama, 939-2792, Japan;
multi-layer resist process; 4 layers process; BARC; hard mask; resist compatibility; pattern transfer;
机译:用于KrF,ArF和F_2光刻的三层底部抗反射涂层的设计
机译:激光干涉光刻研究底部减反射涂层对纳米图形的影响
机译:用于193 nm受激准分子激光光刻的新型有机底部抗反射涂料
机译:45nm工艺与超高性光刻的下一代底抗反射涂层的设计与开发
机译:用于45nm及以后工艺的氧化gate和硅酸ha栅氧化物的工艺开发,表征,瞬态松弛和可靠性研究。
机译:通过全晶圆和卷对卷分步闪光纳米压印光刻技术生产的塑料基板单层宽带抗反射涂层
机译:用于DUV光刻的底部抗反射涂层。
机译:砷化镓/砷化铝镓太阳能电池多层抗反射涂层的研制。