Air Products Chemicals, Inc., Allentown, PA;
18195;
surface conditioners; surfactants; pattern collapse; line width roughness; process latitude; 248nm resists;
机译:电子束光刻制造16nm半间距线间距图形中曝光图案宽度对线条边缘粗糙度和随机缺陷产生的影响的理论研究
机译:使用电子束光刻和化学放大抗蚀剂工艺制造具有7 nm四分之一间距的线间距图形时,必须抑制线宽粗糙度
机译:使用电子束光刻与化学放大的抗蚀剂工艺制造具有7nm间距的线条空间图案中的线宽粗糙度的要求
机译:50 nm浸入光刻中配制的表面调节剂:同时降低图案塌陷和线宽粗糙度
机译:减少类似干涉的大场光刻中的线边缘粗糙度(ler)。
机译:一锅法合成表面粗糙度可控的空心二氧化硅球在环境条件下在水溶液中具有增强的药物载量和释放曲线
机译:表面粗糙度对软光刻形成微观图案形成的影响