机译:基于酸催化缩醛化的环保负性抗蚀剂,用于193 nm光刻
机译:用于193 nm光刻的分辨率提高材料,其包含2-羟基苄醇和聚乙烯醇,且具有均匀的抗蚀剂图案收缩率
机译:用于193 nm光刻的分辨率提高材料,其包含2-羟基苄醇和聚乙烯醇,且具有均匀的抗蚀剂图案收缩率
机译:使用酸催化的抗蚀剂的193-nm光刻的甲硅烷基化方法
机译:先进光刻胶工艺中反应动力学的建模和仿真。
机译:CUO / PMMA聚合物纳米复合材料作为电子束光刻的新型抗蚀剂材料
机译:使用液相甲硅烷基化的I线抗蚀剂的顶表面成像光刻工艺
机译:使用酸催化抗蚀剂的193nm光刻的甲硅烷基化方法