Lehrstuhl Bauelemente der Elektrotechnik, UniversitÃÂät Dortmund, W. Germany;
机译:具有串联共面变压器功率分配器和合并器的55nm SiGe BiCMOS中的1.29W / mm 2 sup> 23-dBm 66-GHz功率放大器
机译:背栅偏置对工作在77和300 K的超薄SOI CMOS反相器中亚阈值行为和开关性能的影响
机译:开关运算放大器:一种在非常低的电源电压下实现完整的CMOS开关电容器电路的方法
机译:一个1.2 V 300μW二阶开关电容器Δ∑调制器,在130 nm CMOS中使用73 dB SNDR和300 kHz BW的超不完全建立
机译:采用CMOS和GaN技术的分布式MPPT的高度集成开关模式电源转换器。
机译:低功耗开关电阻带通滤波器用于130nm CMOS中的神经记录通道
机译:采用0.18μmCMOS的1伏开关跨导混频器