Institute of Microelectronics, Electromagnetism, and Photonics (UMR CNRS, INPG, UJF) ENSERG, BP 257, 23 rue des Martyrs, F38016 Grenoble Cedex 1, France;
机译:SOI四栅极晶体管(G 4 sup> FET)的DC建模,用于使用多元回归多项式在电路模拟器中实现
机译:使用多维样条插值方法对SOI四栅晶体管(G〜4FET)进行建模
机译:SOI四栅极晶体管(G(4)FET)的电路仿真器中使用多维Lagrange和Bernstein多项式的数值建模和实现
机译:仅使用三种SOI四栅极晶体管的多参数离散混沌映射的设计与分析
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译::氢掺杂氧化物晶体管:氧化物场效应晶体管的超高表观迁移率分析(Adv。Sci。7/2019)
机译:室温下FDSOI四栅量子位MOS装置的统计和电气建模